时间：2025-06-23
天博（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术
●英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。
根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用的光明前景。此外，根据协议约定，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。双方共同的目标是依托这种灵活的供应链布局，拓展各自的氮化镓产品组合和市场供应能力，提升供应链韧性，从而满足更广泛的应用场景下的各种客户需求。
意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥IDM这一模式的优势，为全球客户创造价值。一方面，意法半导体将加速氮化镓功率技术部署天博，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合；另一方面，意法半导体也将通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。”
英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士表示：“氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。英诺赛科率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超10亿颗氮化镓器件，覆盖多领域市场。我们对于与意法半导体达成战略合作感到非常振奋。此次与意法半导体的战略合作将进一步扩大和加速氮化镓技术普及，双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术。”
氮化镓功率器件凭借其材料特性，为电源转换、运动控制与驱动系统树立了性能新标杆，可显著降低能耗、提升效率、缩小体积并减轻重量，从而降低整体方案的成本与碳足迹。目前，氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器领域迅速普及，并因其显著的轻量化优势，被积极应用于下一代电动汽车动力系统设计中。
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